尽管此前达成50亿美元战略协议，但英特尔与英伟达的晶圆代工合作并未按预期推进。消息人士透露，英伟达已完成对英特尔18A工艺的采样测试，后续不再推进相关代工合作，这一动态引发行业对先进制程博弈的关注。作为英特尔IDM2.0战略的核心，18A工艺（18埃米，对应1.8纳米）搭载RibbonFET全环绕栅极与PowerVia背面供电技术，主打高能效比，核心适配自家PantherLake等移动端AIPC处

12月16日，三星电子与三星先进技术研究院在IEEE国际电子器件会议上重磅宣布，成功研发出10nm以下DRAM内存制造技术，为AI、数据中心等高算力场景的存储需求突破提供了核心支撑，再度刷新行业技术天花板。此次突破的核心在于创新的单元-外围电路（CoP）架构。不同于传统技术将外围晶体管置于存储单元下方的设计，三星采用存储单元堆叠在了你外围电路之上的全新方案，从根源上解决了传统架构中晶体管在高温堆叠

Altera全新Agilex™3器件家族凭借Hyperflex®架构与英特尔7制程工艺，重新定义FPGA能效比。该系列通过高性能AI张量模块、12.5Gbps收发器及双核ArmCortex-A55硬核处理器，在提升计算性能的同时，实现功耗与成本的显著优化，为智能工厂、医疗影像、数据中心等场景提供可扩展解决方案。一、架构革新：性能与成本的双重突破Agilex™3基于英特尔7nm工艺打造，搭载Hype

引言在当今信息技术飞速发展的时代，半导体器件已成为现代电子产品的核心。从智能手机到超级计算机，从家用电器到航天设备，无一不依赖于半导体芯片的正常工作。而在半导体制造过程中，炉管工艺作为一项基础且关键的制程技术，对整个芯片的性能、可靠性和良率起着决定性作用。随着芯片制程节点不断缩小，对炉管工艺的要求也日益提高，这一传统工艺正在经历技术革新与升级。炉管工艺主要应用于半导体制造的热处理过程，包括氧化、扩

回流焊SMT是将电子元器件焊接到PCB板上，回流焊是用于表面SMD贴装器件。回流焊是利用热气流对焊点的作用，使凝胶状助焊剂在一定的高温气流作用下发生物理反应，实现SMD焊接。之所以称之为“回流焊”，是因为气体在焊机内循环产生高温，以达到焊接的目的。回流焊的主要工艺参数是传热、链速控制和风速风量控制。接下来，我将和大家分享回流焊主要工艺参数的控制方法。1.回流焊热传递的控制。回流焊热风输送目前很多产

据国外媒消息，英特尔副总裁兼技术开发负责人AnnKelleher近日表示，英特尔公司正在实现重新获得半导体制造领导地位这一目标。Kelleher表示：“英特尔按季度制定的里程碑显示，我们处于领先地位或步入正轨。”她说，英特尔目前正在量产7nm芯片，另外已准备好开始制造4nm芯片，并将准备在明年下半年转向3nm。谁能坐稳后摩尔时代工艺制程王座？英特尔CEO基辛格曾表示要重回生产技术的领导地位，“重回

由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/MetalGate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术，并将其应用于全新的1anmLPDDR5XDRAM,即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。厚度挑战:需要全新的解决方案组成DRAM的晶体管(Transistor)包括存储数据