当您设计新电力电子产品时，您的目标任务一年比一年更艰巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一个必须实现的特性。SiCMOSFET是一种能够满足这些目标的解决方案。以下重要技巧旨在帮助您创建基于SiC半导体的开关电源，其应用领域包括光伏系统、储能系统、电动汽车(EV)充电站等。为何选择SiC？为了证明您选择SiCMOSFET作为开关模式设计的首选功率半导体是正确的，请考虑

碳化硅半导体制造建立在现有的生产方法之上，但需要全新的工艺，用来提高产量和降低成本，保证在生产过程中每个阶段的最高质量。让安森美(ONSemiconductor)碳化硅（SiC）从工艺制造技术的角度，带您走近碳化硅。工业和汽车是中功率和大功率电子元器件的两个大市场。随着诸如IGBT的现有技术与碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等技术相结合，工业、汽车和其他电气化趋势正在重塑其应用的领域，借助这种趋

据企查查资料显示，国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司（以下简称：大基金二期）入股了北京烁科中科信电子装备有限公司（以下简称：烁科中科信），持股比例为8%。据了解，烁科中科信成立于2019年6月，由中电48所和北京中科信离子注入机业务战略整合而成，是国内集成电路高端工艺装备的领先企业，主营业务包括半导体器件专用设备的制造。公司总部位于北京市经济技术开发区（通州）光机电一体化产业基地，在长沙设有

近日，安徽省教育厅安徽省发展改革委发布《关于安徽省新型产业共性技术研究中心建设立项的通知》（以下简称“通知”》。《通知》指出，按照工作部署，在各有关高校申报的基础上，决定立项建设安徽省集成电路产业共性技术研究中心、安徽省传感器产业共性技术研究中心、安徽省半导体产业共性技术研究中心、安徽省半导体与智能传感产业共性技术研究中心等。其中，安徽省半导体产业共性技术研究中心是以池州学院机电工程学院（半导体学

IGBT混搭SiCSBD续流二极管，在硬换流的场合，至少有两个主要优势：●没有Si二极管的反向恢复损耗Erec●降低30%以上IGBT的开通损耗Eon因此，在中小功率光伏与UPS等领域，IGBT混搭SiCSBD续流二极管具有较高性价比。此次，我们将利用英飞凌强大且丰富的器件SPICE模型，同样在Simetirx的仿真环境里，测试不同类型的续流二极管，对IGBT开通特性及Eon的影响。特别提醒仿真无